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Epitaxial Planar PNP Silicon Translstors MediumPowerAmp. EpitaxialPlanarSiliconTransistor Features 1)CompactFTRpackagedeliveringhighpower:Pc=750mW 2)Hihgbreakdownvoltage:VCEO=-80V | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
Marking：UB；Package：SOT-346；High-gain Amplifier Transistor (-32V, -0.3A) Features 1)DarlingtonconnectionforhighDCcurrentgain. 2)Built-in4k?resistorbetweenbaseandemitter. 3)Complementsthe2SD1383K/2SD1645S. | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ?Lowfrequencypoweramplifier | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ?CollectorCurrent:IC=-2A ?LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=-1.2V(Max)@IC=-2A ?HighCollectorPowerDissipation APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ?CollectorCurrent:IC=-2A ?LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=-1.2V(Max)@IC=-2A ?HighCollectorPowerDissipation APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER SILICONPNPTRIPLEDIFFUSED LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | Hitachi | ||
isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ?CollectorCurrent:IC=-3A ?LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=-1.2V(Max)@IC=-2A ?HighCollectorPowerDissipation APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ?Lowfrequencypoweramplifier | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ?CollectorCurrent:IC=-3A ?LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=-1.2V(Max)@IC=-2A ?HighCollectorPowerDissipation APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
Silicon PNP Triple Diffused Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SD1133and2SD1134 | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | Hitachi |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_TR
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
0.7A
- 最大工作頻率：
100MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BC640,2SA965,2SA1674,2SB647,2SB764,2SB910,
- 最大耗散功率：
0.5W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
A-71
- vtest：
80
- htest：
100000000
- atest：
0.7
- wtest：
0.5
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
2SB85
- 制造商：
ROHM
- 制造商全稱：
Rohm
- 功能描述：
Epitaxial Planar PNP Silicon Translstors
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
SOT-23 |
3000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | |||
ROHM |
NA |
8560 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
ROHM/羅姆 |
23+ |
NA |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ROHM |
24+ |
SOT-23 |
9200 |
新進(jìn)庫(kù)存/原裝 |
詢價(jià) | ||
ROHM |
2023+ |
SMD |
80000 |
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ROHM/羅姆 |
23+ |
SOT-23 |
20000 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳 |
詢價(jià) | ||
ROHM |
1998 |
1923 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
ROHM |
23+ |
SOT-23 |
31000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ROHM |
19+ |
SOT-23 |
59212 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價(jià) | ||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) |
