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2SB897

High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -10A

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SB897

Silicon PNP Darlington Power Transistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2SB897

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_開關管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BDV64B,BDV66A,BDW84C,TIP147,2SB887,2SB1032,2SB1108,

  • 最大耗散功率:

    80W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號:

    B-62

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    80

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更多2SB897供應商 更新時間2025-4-24 17:06:00