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2SC2710

TRANSISTOR (FOR AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS)

ForAudioAmplifierApplications ?HighDCcurrentgain:hFE(1)=100~320 ?Complementaryto2SA1150

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC2710

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

ForAudioAmplifierApplications ?HighDCcurrentgain:hFE(1)=100~320 ?Complementaryto2SA1150

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC2710

MINI PACKAGE SERIES

Application GeneralPurpose> LowNoise HighVoltage HighCurrent HighCurrent LowImpedanceLowNoise(NEW AudioDrive&Out NEW HighB Muting&SW FMRF,MIXOSC AMCONV.FM/AMIF AMFF,CONVIF FM/AMRF,MIXOSC Application GeneralPurpose HighIYfslLowNoise AnalogSW&Ge

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC2710-Y

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

ForAudioAmplifierApplications ?HighDCcurrentgain:hFE(1)=100~320 ?Complementaryto2SA1150

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC2712

TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLFIER APPLICATIONS)

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~700 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),1

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC2712

Silicon NPN Transistors

SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

2SC2712

AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SC2712

Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). ●Complementaryto2SA1162. ●Highvoltageandhighcurrent. ●HighhFElinearity. APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

2SC2712

Silicon NPN Epitaxial Type Transistor

Features ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) ●HighhFE:hFE=70700 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SC2712

TRANSISTOR(NPN)

FEATURE ?LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) ?Complementaryto2SA1162

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

2SC2712

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURE ?LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) ?Complementaryto2SA1162 ?AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SC2712

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) Features ●AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) ●Complementaryto2SA1162

HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd

蘇海德半導(dǎo)體蘇海德半導(dǎo)體有限公司

2SC2712

Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) Complementaryto2SA1162

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

2SC2712

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

PRF-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE ●Complemento2SA1037 ●Collector-current:Ic=100mA ●Collector-EmillerVoltage:VCE=45V ●HighTotalpowerDissipationPc=225mW ●HighlifeAndGoodLinearity

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

2SC2712

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?WithSOT-23packaging ?Highcollector-basevoltage ?Highpowerdissipation ?Lowsaturationvoltage ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SC2712

NPN Silicon General Purpose Transistor

FEATURE ?LowNoise:NF=1dB(Typ.),10db(Max.) ?Complementsofthe2SA1162

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SC2712

Low Noise, Complementary to 2SA1162

FEATURES Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). Complementaryto2SA1162. Highvoltageandhighcurrent. HighhFElinearity. APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

2SC2712

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURE ·LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) ·Complementaryto2SA1162 ·AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

2SC2712BL

Silicon NPN Transistors

SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

2SC2712BL

Low Noise, Complementary to 2SA1162

FEATURES Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). Complementaryto2SA1162. Highvoltageandhighcurrent. HighhFElinearity. APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SC2710

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    通用型 （Uni）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    35V

  • 最大電流允許值：

    0.8A

  • 最大工作頻率：

    120MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BC337,BC338,BC635,BC637,BC639,BC738,3DG130B,

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    A-20

  • vtest：

    35

  • htest：

    120000000

  • atest：

    0.8

  • wtest：

    0.3

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SC271

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述：

    Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 3-Pin Mini

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
TOSHIBA
2024
TO-92S
58209
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
 詢價(jià)
TOS
24+
TO-92
6007
詢價(jià)
TOS
16+
原廠封裝
5500
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
HGF
2023+
TO-92
80000
一級代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
HGF
24+
TO-92
9862
全新原裝現(xiàn)貨/假一罰百!
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
23+
TO-92S
9800
全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
23+
TO-92S
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
2022
TO-92S
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價(jià)
TOSHIBA
2023+環(huán)?，F(xiàn)貨
TO92S
10
專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)
 詢價(jià)
TOS
23+
TO
20000
正品原裝貨價(jià)格低qq:2987726803
 詢價(jià)
更多2SC271供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-29 17:06:00

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