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2SC2714

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES SmallreverseTransferCapacitance:Cre=0.7pF(typ.) LowNoiseFigure:NF=2.5dB(typ.)(f=100MHz)

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SC2714

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Smallreversetransfercapacitance: Cre=0.7pF(Typ.) ●LownoiseFigure:NF=2.5dB(Typ.) f=100MHz APPLICATIONS ●Highfrequencyamplifierapplications ●FM,RF,MIX,IFAmplifierapplications

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

2SC2714

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC2714

SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Smallreversetransfercapacitance,lownoisefigure. Applications Highfrequencyamplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

2SC2714

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

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SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallreverseTransferCapacitance:Cre=0.7pF(typ.) ●LowNoiseFigure:NF=2.5dB(typ.)(f=100MHz)

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SC2714

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES AM/FMAmplifier,LocalOscillatorofFM/VHFTuner HighCurrentGainBandwidthProductfT=550MHz(Typ)

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

2SC2714

HighFrequencyAmplifierApplicationsFM,RF,MIX,IFAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC2714

HighFrequencyAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC2714

HighFrequencyAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC2714

HighFrequencyAmplifierApplicationsFM,RF,MIX,IFAmplifierApplications

HighFrequencyAmplifierApplications FM,RF,MIX,IFAmplifierApplications ?Smallreversetransfercapacitance:Cre=0.7pF(typ.) ?Lownoisefigure:NF=2.5dB(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC2714

NPNTransistors

■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=20mA ●CollectorEmitterVoltageVCEO=30V

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

2SC2714

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES ●SmallreverseTransferCapacitance:Cre=0.7pF(typ.) ●LowNoiseFigure:NF=2.5dB(typ.)(f=100MHz)

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

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NPNGeneralPurposeTransistors

NPNGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

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NPNPlastic-EncapsulateTransistor

FEATURES ●SmallreverseTransferCapacitance:Cre=0.7pF(typ.) ●LowNoiseFigure:NF=2.5dB(typ.)(f=100MHz)

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SC2714

SiliconNPNEpitaxial

■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=20mA ●CollectorEmitterVoltageVCEO=30V

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SC2714

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Smallreversetransfercapacitance:Cre=0.7pF(Typ.) ●LownoiseFigure:NF=2.5dB(Typ.)f=100MHz APPLICATIONS ●Highfrequencyamplifierapplications ●FM,RF,MIX,IFAmplifierapplications

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2SC2714

SiliconNPNEpitaxialPlanarType(PCTprocess)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC2714

TRANSISTOR(HIGHFREQUENCY,FM,RF,MIX,IFAMPLIFIERAPPLICATIONS

HighFrequencyAmplifierApplications FM,RF,MIX,IFAmplifierApplications ?Smallreversetransfercapacitance:Cre=0.7pF(typ.) ?Lownoisefigure:NF=2.5dB(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC2714-HF

NPNTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

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