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2SC3265-Y,LF

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 25V 0.8A TO236

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3265

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES *HighDCcurrentgain *ComplementarytoKTA1298

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)

2SC3265

LowFrequencyPowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3265

NPNTransistors

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

2SC3265

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

2SC3265

LowFrequencyPowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications

LowFrequencyPowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications HighDCcurrentgain:hFE(1)=100~320 Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max)(IC=500mA,IB=20mA) Complementaryto2SA1298

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3265

LowFrequencyPowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3265

SiliconNPNEpitaxial

Features ●HighDCcurrentgain:hFE(1)=100320. ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max)(IC=500mA,IB=20mA).

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SC3265

NPNEPITAXIALTYPE(LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER,POWERSWITCHINGAPPLICATIONS)

LowFrequencyPowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications HighDCcurrentgain:hFE(1)=100~320 Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max)(IC=500mA,IB=20mA) Complementaryto2SA1298

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3265-O

NPNTransistors

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

2SC3265-O

NPNGeneralPurposeAmplifier

Features ·LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ·Powerswitchingapplication ·Complementaryto2SA1298 ·Lowfrequencypoweramplifierapplication ·EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ·MoisureSensitivityL

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SC3265-O

NPNGeneralPurposeAmplifier

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SC3265-O

NPNTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SC3265Y

LowFrequencyPowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications

LowFrequencyPowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications HighDCcurrentgain:hFE(1)=100~320 Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max)(IC=500mA,IB=20mA) Complementaryto2SA1298

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3265-Y

NPNTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SC3265-Y

NPNGeneralPurposeAmplifier

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SC3265-Y

NPNTransistors

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

2SC3265-Y

NPNGeneralPurposeAmplifier

Features ·LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ·Powerswitchingapplication ·Complementaryto2SA1298 ·Lowfrequencypoweramplifierapplication ·EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ·MoisureSensitivityL

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SC3265-Y,LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    400mV @ 20mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    160 @ 100mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    120MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-236

  • 描述：

    TRANS NPN 25V 0.8A TO236

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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保證原裝正品,需要聯(lián)系張小姐 13544103396 微信同號
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更多2SC3265-Y,LF供應(yīng)商 更新時間2024-11-7 8:00:00

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