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2SC4115	文件：1.03355 Mbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ?LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A) ?Excellentcurrentgaincharacteristics. ?Complementsto2SA1585	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SC4115	文件：980.13 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentcurrentgaincharacteristics；complementarypairwith2SA1585. Applications Lowfrequencyamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SC4115	文件：630.49 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor FEATURES ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A) ●Excellentcurrentgaincharacteristics. ●Complementsto2SA1585.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SC4115	文件：1.61096 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A) Excellentcurrentgaincharacteristics. Complementsto2SA1585	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SC4115	文件：1.19297 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A) ●Excellentcurrentgaincharacteristics. ●Complementsto2SA1585	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SC4115	文件：76.91 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●SmallFlatPackage ●GeneralPurposeApplication ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4115	文件：1.39832 Mbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A) ●Excellentcurrentgaincharacteristics. ●Complementsto2SA1585	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
2SC4115	文件：51.9 Kbytes Page：1 Pages	LowFrequencyTransistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=3A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=20V ●Complementsto2SA1585	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SC4115E	文件：230.08 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR DESCRIPTION NPNEpitaxialplanarSiliconTransistor FEATURES LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A) APPLICATION Excellentcurrentgaincharacteristics Forportableequipment:(i.e.Mobilephone,MP3,MD,CD-ROM, DVD-ROM,NotebookPC,etc.)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SC4115-Q	文件：76.91 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●SmallFlatPackage ●GeneralPurposeApplication ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4115-Q	文件：327.24 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SC4115-Q-HF	文件：336.87 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SC4115-R	文件：327.24 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SC4115-R	文件：76.91 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●SmallFlatPackage ●GeneralPurposeApplication ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4115-R-HF	文件：336.87 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SC4115S	文件：2.85017 Mbytes Page：5 Pages	TO-92SPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat). ●ExcellentCurrentGainCharacteristics. ●ComplementsThe2SA1585S.	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SC4115S	文件：131.07 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPD:0.3W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:3A Collector-basevoltageV(BR)CBO:40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SC4115S	文件：95.73 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES PowerdissipationPD:0.3W(Tamb=25°C) CollectorcurrentICM:3A Collector-basevoltageV(BR)CBO:40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55°Cto+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4115S	文件：96.5 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyTransistor(20V,3A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A) 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424/2SA1585S.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SC4115S	文件：165.89 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistor(20V,3A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
2SC4115SS
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SPAK

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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