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2SC4497

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=300V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):0.5V(Max)@IC=20mA APPLICATIONS ·SwitchingRegulators ·Converters ·PowerAmplifiers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SC4497

HighVoltageControlApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC4497

SiliconNPNTripleDiffusedType

Features ●Highvoltage. ●Lowsaturationvoltage. ●Smallcollectoroutputcapacitance.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SC4497

NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(HIGHVOLTAGECONTROLAPPLICATIONS)

HighVoltageControlApplications ?Highvoltage:VCBO=300V,VCEO=300V ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max) ?Smallcollectoroutputcapacitance:Cob=3pF(typ.) ?Complementaryto2SA1721

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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SK/森浦科
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更多2SC4497R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-29 16:30:00

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