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2SD2150

Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package

Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentcurrentgaincharacteristic,Complementaryto2SB1424. Applications Generalpurposeamplifier.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

2SD2150

Marking:CFR;Package:SOT-89;Low Frequency Transistor (20V, 3A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=2A/0.1A) 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SD2150

NPN Transistors

■Features ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ●LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ●Complementaryto2SB1412

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

2SD2150

Low Frequency Transistor (20V, 3A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=2A/0.1A) 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SD2150

NPN General use transistor

FEATURES Powerdissipation PCM:0.5WTamb=25°C Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

2SD2150

Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Excellentcurrent-to-gaincharacteristics LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) VCE(sat)=0.5V(max)forIC/IB=2A/0.1A

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

2SD2150

LOW FREQUENCY TRANSISTER

FEATURES ●LowVCE(sat):VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A). ●Excellentcurrentgaincharacteristics. ●Complementsthe2SB1424.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2SD2150

Marking:CFR;Package:SOT-89;LOW FREQUENCY TRANSISTER (20V,3A)

FEATURES LowVCE(sat):VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=2A/0.1A). Excellentcurrentgaincharacteristics. Complementsthe2SB1424.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SD2150

Marking:CFR;Package:SOT-89;Low Frequency Transistor(20V, 3A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=2A/0.1A) 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SD2150

TRANSISTOR NPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5WTamb=25°C Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2SD2150

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    40V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    290MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    2SC2873,2SD1119,2SD1624,2SD1952,2SD2185,

  • 最大耗散功率:

    0.75W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-100

  • vtest:

    40

  • htest:

    290000000

  • atest:

    3

  • wtest:

    0.75

詳細參數(shù)

  • 型號:

    2SD2150

  • 制造商:

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述:

    TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ROHM
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更多2SD2150供應(yīng)商 更新時間2023-6-8 12:14:00