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2SC4505

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

2SC4505

PowerTransistor(400V,0.1A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SC4505

High-ColtageSwitchingTransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SC4505

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors

Features Highbreakdownvoltage.(BVCEO=400V) Lowsaturationvoltage, typicallyVCE(sat)=0.05VatIC/IB=10mA/1mA. Highswitchingspeed,typicallytf=1.7ìsatIc=100mA.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SC4505

PowerTransistor(400V,0.1A)

Features 1)Highbreakdownvoltage.(BVCEO=400V) 2)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=0.05VatIC/IB=10mA/1mA. 3)Highswitchingspeed,typicallytf=1.7μsatIc=100mA. 4)Complementsthe2SC4505andthe2SA1759.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SC4505P

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

2SC4505Q

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

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ROHM
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更多2SC4505/CEQ供應商 更新時間2025-1-17 16:50:00