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2SC4695

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor

Features AdoptionofFBETprocess. HighDCcurrentgain. HighVEBO(VEBO25V). HighreversehFE(150typ). SmallONresistance[Ron=1W(IB=5mA)].

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SC4695

Low-FrequencyGeneral-PurposeAmp,MutingApplications

Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifier,MutingApplications Features ·AdoptionofFBETprocess. ·HighDCcurrentgain. ·HighVEBO(VEBO≥25V). ·HighreversehFE(150typ). ·SmallONresistance[Ron=1?(IB=5mA)]. ·Verysmall-sizedpackagepermitting2SC4695-appliedsets

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

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更多2SC4695-TB供應商 更新時間2025-2-11 14:08:00

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