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2SC5085-O(TE85L,F)

包裝：托盤 封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

Toshiba Semiconductor and Storage

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2SC5085

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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2SC5085

TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialPlanarType

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SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeVHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

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NPNEPITAXIALPLANARTYPE(VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS)

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications ?Lownoisefigure,highgain. ?NF=1.1dB,|S21e|2=11dB(f=1GHz)

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2SC5085-Y

TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialPlanarType

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SC5085-O(TE85L,F)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1dB @ 500MHz

  • 功率 - 最大值：

    100mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 20mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    80mA

  • 工作溫度：

    125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應商器件封裝：

    SC-70

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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