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2SC5087YTE85LF

包裝：散裝 封裝/外殼：SC-61AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087

SiliconNPNEpitaxialPlanarType

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC5087

NPNEPITAXIALPLANARTYPE(VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS)

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications ?Lownoisefigure,highgain. ?NF=1.1dB,|S21e|2=13dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC5087

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC5087

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications ?Lownoisefigure,highgain. ?NF=1.1dB,|S21e|2=13dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC5087-O

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications ?Lownoisefigure,highgain. ?NF=1.1dB,|S21e|2=13dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC5087R

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC5087R

SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeVHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

VHFtoUHFBandLowNoiseAmplifierApplications ?Lownoisefigure,highgain. ?NF=1.1dB,|S21e|2=13.5dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2SC5087YTE85LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益：

    13dB

  • 功率 - 最大值：

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 20mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    80mA

  • 工作溫度：

    125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-61AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SMQ

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA
1809+
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Toshiba Semiconductor and Stor
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SMQ
38550
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更多2SC5087Y供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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