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2SC5130

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose)

SiliconNPNTripleDiffusedPlanarTransistor(HighVoltageandHighSpeedSwitchihgTransistor) Application:SwitchingRegulatorandGeneralPurpose

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

2SC5130

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Fpackage ?Highvoltage. ?Highspeedswitching APPLICATIONS ?Forswitchingregulatorandgeneralpurposeapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SC5130

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Fpackage ?Highvoltage. ?Highspeedswitching APPLICATIONS ?Forswitchingregulatorandgeneralpurposeapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SC5130

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=400V(Min) ?HighSwitchingSpeed APPLICATIONS ?Designedforswitchingregulatorandgeneralpurposeapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2SC5132A

Character Display Horizontal Deflection Output

Features ?Highbreakdownvoltage VCES=1500V,IC=8A ?Built–indamperdiodetype ?Isolatedpackage TO-3P?FM Application Characterdisplayhorizontaldeflectionoutput

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SC5136

Silicon NPN Epitaxial

Features ?HighgainbandwidthproductfT=3.8GHztyp ?Highgain,lownoisefigurePG=11dBtyp,NF=2.5dBtypatf=900MHz Application VHF/UHFwidebandamplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SC5137

Silicon NPN Epitaxial

Features ?HighgainbandwidthproductfT=10GHztyp ?Highgain,lownoisefigurePG=16.5dBtyp,NF=1.5dBtypatf=900MHz Application VHF/UHFwidebandamplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SC5138

Silicon NPN Epitaxial

Features ?HighgainbandwidthproductfT=6GHztyp ?Highgain,lownoisefigurePG=13dBtyp,NF=1.8dBtypatf=900MHz Application VHF/UHFwidebandamplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SC5139

Silicon NPN Epitaxial

Application VHF/UHFwidebandamplifier Features ?Highgainbandwidthproduct fT=11GHztyp ?Highgain,lownoisefigure PG=15dBtyp,NF=1.1dBtypatf=900MHz

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SC5130

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

2SC5130

Silicon NPN Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SC5130_01

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

2SC5130

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-220-3 整包 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 400V 5A TO220F

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

晶體管資料

  • 型號：

    2SC5130

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （S）_電源用 （Reg）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    600V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    20MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BUT11(A)F,2SC3750,2SC3795,2SC4054,

  • 最大耗散功率：

    30W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-97

  • vtest：

    600

  • htest：

    20000000

  • atest：

    5

  • wtest：

    30

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SC5130

  • 制造商：

    Sanken

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 300mA，1.5A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10 @ 1.5A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    20MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220F

  • 描述：

    TRANS NPN 400V 5A TO220F

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SC513供應(yīng)商 更新時間2024-12-28 16:00:00

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