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2SC5226A-5-TL-E

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP

RFTransistor 10V,70mA,fT=7GHz,NPNSingleMCP Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2SC5226A-5-TL-E

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifi er Applications

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SC5226A-5-TL-E

Package:SC-70,SOT-323;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SC5226A-5-TL-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1dB @ 1GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    135 @ 20mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應商器件封裝:

    3-MCP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
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ON(安森美)
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ON/安森美
2022
SOT723
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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更多2SC5226A-5-TL-E供應商 更新時間2025-3-13 15:55:00