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2SC5551AE-TD-E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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  • 廠家型號：

    2SC5551AE-TD-E

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON(安森美)

  • 庫存數(shù)量：

    10267

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2025-1-10 17:34:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：2SC5551AE-TD-E品牌：ON(安森美)

公司只做原裝正品,假一賠十

2SC5551AE-TD-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商ON(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝TO-243AA的2SC5551AE-TD-E晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    2SC5551AE-TD-E

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    299.98 kb

  • 資料說明：

    RF Transistor

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    2SC5551AE-TD-E

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    30V

  • 頻率 - 躍遷：

    3.5GHz

  • 功率 - 最大值：

    1.3W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    90 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    300mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PCP

  • 描述：

    RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市芯球通科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王經(jīng)理

  • 手機：

    13760231281

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23816608/13760231281

  • 傳真：

    0755-23816808

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道上步工業(yè)區(qū)101棟510室

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