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2SC5681

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=800V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):3.0V(Max)@IC=10.8A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SC5681

Ultrahigh-DefinitionCRTDisplayHorizontalDeflectionOutputApplications

Ultrahigh-DefinitionCRTDisplay HorizontalDeflectionOutputApplications Features ?Highspeed. ?Highbreakdownvoltage(VCBO=1500V). ?Highreliability(AdoptionofHVPprocess). ?AdoptionofMBITprocess.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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SANYO/三洋
2022+
68
全新原裝 貨期兩周
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SAN
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65230
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更多2SC5681-CTV-YB供應商 更新時間2025-1-18 16:59:00