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2SC5713

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC5713

SiliconNPNEpitaxialTypeHigh-SpeedSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC5713

TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType

High-SpeedSwitchingApplications DC-DCConverterApplications StrobeApplications ?HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.5A) ?Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V(max) ?High-speedswitching:tf=50ns(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多2SC5713(TE12LZC供應(yīng)商 更新時間2025-1-4 10:30:00

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