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2SCR563F3分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SCR563F3
廠商型號

2SCR563F3

參數(shù)屬性

2SCR563F3 封裝/外殼為3-UDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3

功能描述

NPN 6A 50V Middle Power Transistor

絲印標識

NE

封裝外殼

DFN2020-3S / 3-UDFN 裸露焊盤

文件大小

1.53407 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-19 16:42:00

2SCR563F3規(guī)格書詳情

Features

1) Suitable for Middle Power Driver.

2) Low VCE(sat)

VCE(sat)=350mV(Max.).

(IC/IB=3A/150mA)

3) High collector current.

IC=6A(max),ICP=12A(max)

4) Leadless small SMD package (HUML2020L3)

Excellent thermal and electrical conductivity.

Application

LOW FREQUENCY AMPLIFIER

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SCR563F3TR

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    350mV @ 150mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 500mA,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-UDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝:

    HUML2020L3

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3

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