2SCR563F3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
2SCR563F3 |
| 參數(shù)屬性 | 2SCR563F3 封裝/外殼為3-UDFN 裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3 |
| 功能描述 | NPN 6A 50V Middle Power Transistor |
| 文件大小 |
1.53407 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Rohm |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ROHM【羅姆】 |
| 中文名稱 | 羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-6 15:09:00 |
2SCR563F3規(guī)格書詳情
Features
1) Suitable for Middle Power Driver.
2) Low VCE(sat)
VCE(sat)=350mV(Max.).
(IC/IB=3A/150mA)
3) High collector current.
IC=6A(max),ICP=12A(max)
4) Leadless small SMD package (HUML2020L3)
Excellent thermal and electrical conductivity.
Application
LOW FREQUENCY AMPLIFIER
2SCR563F3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的2SCR563F3晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
2SCR563F3TR
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
350mV @ 150mA，3A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 500mA，3V
- 頻率 - 躍遷：
200MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-UDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
HUML2020L3
- 描述：
TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(羅姆) |
新批次 |
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10000 |
全新原裝 |
詢價(jià) |
