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2SCR563F3

NPN 6A 50V Middle Power Transistor

Features 1)SuitableforMiddlePowerDriver. 2)LowVCE(sat) VCE(sat)=350mV(Max.). (IC/IB=3A/150mA) 3)Highcollectorcurrent. IC=6A(max),ICP=12A(max) 4)LeadlesssmallSMDpackage(HUML2020L3) Excellentthermalandelectricalconductivity. Application LOWFREQUENCYAMPLI

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SCR563F3TR

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：3-UDFN 裸露焊盤 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

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更多2SCR563F3供應商 更新時間2024-11-6 11:06:00

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