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2SCR587D3

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=120V(Min.) ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=1.2V(Max.)@IC=1A ·ComplementtoType2SCR587D3 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforlowfreque

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SCR587D3

Marking:2SCR587D3;Package:TO-252-2L;TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors

=1A/100mA) =120mV(Max.). 2)ComplementaryPNPTypes:2SAR587D3. Features 1)SuitableforPowerDriver. 3)LowVCE(sat) VCE(sat) (IC/IB Application LOWFREQUENCYAMPLIFIER

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SCR587D3

Marking:2SCR587D3;Package:TO-252;NPN 3A 120V Power Transistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SCR587D3TL1

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 120V 3A TO252

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

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更多2SCR587D3供應(yīng)商 更新時間2025-1-16 10:34:00