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2SCR587D3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SCR587D3
廠商型號

2SCR587D3

參數(shù)屬性

2SCR587D3 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 120V 3A TO252

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

318.94 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-16 11:09:00

2SCR587D3規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 120V(Min.)

·Low Collector Saturation Voltage

: VCE(sat)= 1.2V(Max.)@ IC= 1A

·Complement to Type 2SCR587D3

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SCR587D3TL1

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    120mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 100mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    250MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-252

  • 描述:

    TRANS NPN 120V 3A TO252

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ROHM/羅姆
23+
SOT-23
1031962
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C15-電源
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三極管/MOS管/晶體管 > 三極管(BJT)
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