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2SD1395

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=50V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=2.5A ?LowSaturationVoltage ?FastSwitchingSpeed ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforgeneral

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1395

DriverApplications

DriverApplications Features ?HighDCcurrentgain. ?Largecurrentcapacity ?WideASO. ?On-chipZenerdiodeof60±10Vbetweencollectorandbase. ?Uniformityincollector-to-basebreakdownvoltageduetoadoptionofaccurateimpuritydiffusionprocess. ?Highinductiveloadhandlingca

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多2SD1395Z供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-19 9:14:00