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2SD1616	文件：156.68 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION The2SD1616/2SD1616AaredesignedforuseindriverandoutputstagesofAFamplifier,generalpurposeapplication.	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SD1616	文件：1.28825 Mbytes Page：5 Pages	NPNTransistors NPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SD1616	文件：184.47 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1616	文件：66.6 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1616	文件：418.01 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat) ●ComplementaryTransistorwithThe2SB1116	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
2SD1616	文件：148.33 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation PCM:0.75W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SD1616	文件：235.8 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTORS NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDMID-SPEEDSWITCHING FEATURES ?LowVCE(sat): VCE(sat)=0.15VTYP.(IC=1.0A,IB=50mA) ?LargePTinsmalldimensionwithversatility PT=0.75W,VCEO=50/60V,IC(DC)=1.0A ?Complementarytransistorwitht	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SD1616	文件：157.46 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconTransistor NPNSiliconTransistor The2SD1616/2SD1616Aaredesignedforusein driverandoutputstagesofAFamplifiergeneral purposeapplication. ThetransistorissubdividedintothreegroupsR,O andY,accordingtoitsDCcurrentgain Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedi	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2SD1616	文件：145.22 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION Audiofrequencypoweramplifier Mediumspeedswitching	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1616	文件：1.44388 Mbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVCE(sat) ComplementaryTransistorwithThe2SB1116	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SD1616A	文件：1.75193 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURE Powerdissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SD1616A	文件：1.93904 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lowcollectorsaturationvoltage Highbreakdownvoltage Hightotalpowerdissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SD1616A	文件：235.8 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTORS NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDMID-SPEEDSWITCHING FEATURES ?LowVCE(sat): VCE(sat)=0.15VTYP.(IC=1.0A,IB=50mA) ?LargePTinsmalldimensionwithversatility PT=0.75W,VCEO=50/60V,IC(DC)=1.0A ?Complementarytransistorwitht	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SD1616A	文件：294.41 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SD1616A	文件：148.22 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation PCM:0.75W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:120V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SD1616A	文件：1.047099 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR（NPN） FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Highbreakdownvoltage ●Hightotalpowerdissipation	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
2SD1616A	文件：111.43 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION 2SD1616AisNPNsiliconplanartransistordesignedforuseindriverandoutputstagesofAFamplifier,generalpurposeapplication.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2SD1616A	文件：1.28825 Mbytes Page：5 Pages	NPNTransistors NPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SD1616A	文件：346.75 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulatedTransistor FEATURES ?Powerdissipation	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1616A	文件：149.41 Kbytes Page：2 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亞電器集團(tuán)大亞電器集團(tuán)有限公司	DAYA

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更多2SD1616AT/R供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-7 16:21:00

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