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SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.5V(Typ)@IC=2A ·GoodLinearityofhFE APPLICATIONS ·Powerdissipation | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.5V(Typ)@IC=2A ·GoodLinearityofhFE APPLICATIONS ·Powerdissipation | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
PowerTransistor(50V,3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
iscSiliconNPNPowerTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
MediumPowerTransistor | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
PowerTransistor(50V,3A) | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
PowerTransistor(50V,3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
PowerTransistor50V,3A PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
NPNTransistors | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
NPNTransistors | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
PowerTransistor(50V,3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM |
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/羅姆 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ROHM/羅姆 |
2022 |
TO-252 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢(xún) |
詢(xún)價(jià) | ||
ROHM/羅姆 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢(xún)價(jià) | ||
ROHM/羅姆 |
23+ |
NA/ |
2366 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
ROHM |
23+ |
SOT-252 |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
ROHM |
21+ |
SOT-252 |
783 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
ROHM |
23+ |
SOT-252 |
783 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ROHM/羅姆 |
2122+ |
TO252 |
19990 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)渠道可含稅,假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
ROHM/羅姆 |
TO252 |
125000 |
一級(jí)代理原裝正品,價(jià)格優(yōu)勢(shì),長(zhǎng)期供應(yīng)! |
詢(xún)價(jià) | |||
ROHM/羅姆 |
2023+ |
TO252 |
181 |
AI智能識(shí)別、工業(yè)、汽車(chē)、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站 |
詢(xún)價(jià) |
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