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2SD186	文件：25.15 Kbytes Page：1 Pages	2SD186	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
2SD1861	文件：48.61 Kbytes Page：1 Pages	Epitaxial Planar NPN Silicon Darlington Transistors [ROHM] Features 1)DarlingtonconnectionproviseshighDCcurrentgain(hFE). 2)Built-inresistanceofapprox.4kΩbetweenitsbaseandemitter.Excellenttempraturestability.	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
2SD1861	文件：72.03 Kbytes Page：3 Pages	Marking:TV2;Package:ATV;Power transistor (40V, 2A) Features 1)DarlingtonconnectionforhighDCcurrentgain. 2)Built-in4k?resistorbetweenbaseandemitter. 3)Complementsthe2SB1183/2SB1239.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1862	文件：107.46 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 2A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.5V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SB1188/2SB1182/2SB1240/2SB891F/2SB822/2SB1277/2SB911M Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1862	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 2A) FTR?FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1862	文件：176.4 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.5V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SB1188/2SB1182/2SB1240/2SB891F/2SB822/2SB1277/2SB911M Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1863	文件：89.47 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (80V, 1A) ●Features 1)HighVCEO,VCEO=80V 2)HighIC,IC=1A(DC) 3)GoodhFElinearity. 4)LowVCE(sat). 5)Complementsthe2SB1260/2SB1241/2SB1181.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1864	文件：81.97 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (50V, 3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1864	文件：153.28 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (50V, 3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1864	文件：147 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (50V, 3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1864	文件：77.01 Kbytes Page：3 Pages	Marking:TV2;Package:ATV;Power Transistor 50V, 3A PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1866	文件：89.73 Kbytes Page：4 Pages	Marking:D1866;Package:ATV;Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60?10V, 2A) Features 1)Built-inzenerdiodebetweencollectorandbase. 2)StrongprotectionagainstreversesurgesduetoLloads. 3)Built-inresistorbetweenbaseandemitter. 4)Built-indamperdiode.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1866TV2	文件：107.08 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (Motor, Relay drive) (60??0V, 2A) Features 1)Built-inzenerdiodebetweencollectorandbase. 2)StrongprotectionagainstreversesurgesduetoL loads. 3)Built-inresistorbetweenbaseandemitter. 4)Built-indamperdiode.	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
2SD1866TV2	文件：107.08 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (Motor, Relay drive) (60??0V, 2A) Features 1)Built-inzenerdiodebetweencollectorandbase. 2)StrongprotectionagainstreversesurgesduetoL loads. 3)Built-inresistorbetweenbaseandemitter. 4)Built-indamperdiode.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SD1867	文件：81.2 Kbytes Page：4 Pages	Marking:D1866;Package:ATV;Power Transistor (100V , 2A) Features 1)DarlingtonconnectionforhighDCcurrentgain. 2)Built-inresistorbetweenbaseandemitter. 3)Built-indamperdiode. 4)Complementsthe2SB1580/2SB1316.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1867	文件：70.24 Kbytes Page：1 Pages	Marking:D1866;Package:ATV;Transistors PowerTransistor(+/-100V/+/-2A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1867	文件：87.76 Kbytes Page：4 Pages	Marking:D1866;Package:ATV;Power Transistor (100V, 2A) Features 1)DarlingtonconnectionforhighDCcurrentgain. 2)Built-inresistorbetweenbaseandemitter. 3)Built-indamperdiode. 4)Complementsthe2SB1580/2SB1316.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1868	文件：30.96 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencyhighvoltageamplifier	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1868	文件：153.8 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencyhighvoltageamplifier	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SD1869	文件：30.96 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencyhighvoltageamplifier	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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晶體管資料

型號：
2SD186
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Ge-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
25V
最大電流允許值：
0.15A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
AC127,AC176,AC187,2N1302,2SD30,2SD72,3BX81B,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
C-47
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.15
wtest：
0.2

詳細參數(shù)

型號：
2SD186
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TRANSISTOR ATV50V .5A .6W ECB

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	2SD186	SANYO	24+		7700		詢價
深圳市賽特興科技有限公司	2SD186	ST	23+	CAN to-39	16900	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價
深圳市旺財半導體有限公司	2SD186	TOY	23+	TO	20000	正品原裝貨價格低	詢價
深圳市星佑電子有限公司	2SD186	ST	22+	CAN to-39	16900	支持樣品原裝現(xiàn)貨提供技術支持!	詢價
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更多2SD186供應商更新時間2025-1-14 16:30:00

晶體管資料

詳細參數(shù)

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