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2SD1910	文件：113.55 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3PFMpackage ?Highbreakdownvoltage ?Highspeedswitching ?Built-indamperdiode APPLICATIONS ?ForuseinTVhorizontaloutputapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1910	文件：96.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3PFMpackage ?Highbreakdownvoltage ?Highspeedswitching ?Built-indamperdiode APPLICATIONS ?ForuseinTVhorizontaloutputapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1910	文件：100.76 Kbytes Page：1 Pages	Silicon Diffused Power Transistor(GENERAL DESCRIPTION) GENERALDESCRIPTION Highvoltage,high-speedswitchingnpntransistorsinaplasticenvelopewithintegratedefficiencydiode,primarilyforuseinhorizontaldeflectioncircuitesofcolourtelevisionreceivers	WINGSWing Shing Computer Components 永盛電子永盛電子(香港)有限公司	WINGS
2SD1911	文件：100.54 Kbytes Page：1 Pages	Silicon Diffused Power Transistor(GENERAL DESCRIPTION) GENERALDESCRIPTION Highvoltage,high-speedswitchingnpntransistorsinaplasticenvelopewithintegratedefficiencydiode,primarilyforuseinhorizontaldeflectioncircuitesofcolourtelevisionreceivers	WINGSWing Shing Computer Components 永盛電子永盛電子(香港)有限公司	WINGS
2SD1911	文件：96.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Highbreakdownvoltage ·Highspeedswitching ·Built-indamperdiode APPLICATIONS ·ForuseinTVhorizontaloutputapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1911	文件：113.34 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PFMpackage ·Highbreakdownvoltage ·Highspeedswitching ·Built-indamperdiode APPLICATIONS ·ForuseinTVhorizontaloutputapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1912	文件：256.589 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) ·WideAreaofSafeOperation ·LowCollectorSaturationVoltage APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1913	文件：249.34 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1274 ·Highreliability. ·Highbreakdownvoltage ·Lowsaturationvoltage. ·Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS ·60V/3Alow-frequencypoweramplifier ·Generalpoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1913	文件：34.38 Kbytes Page：4 Pages	60V/3A Low-Frequency Power Amplifier Applications 60V/3ALow-FrequencyPowerAmplifierApplications Applications ?Generalpoweramplifier. Features ?WideASO(AdoptionofMBITprocess). ?Lowsaturationvoltage. ?Highreliability. ?Highbreakdownvoltage. ?Micalesspackagefacilitatingmounting.	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
2SD1913	文件：119.79 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1274 ·Highreliability. ·Highbreakdownvoltage ·Lowsaturationvoltage. ·Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS ·60V/3Alow-frequencypoweramplifier ·Generalpoweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1914	文件：595.7 Kbytes Page：7 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DRIVER APPLICATIONS DriverApplications Features ?Darlingtonconnection ?HighDCcurrentgain Applications ?Motordrivers,printerhammerdrivers,relaydrivers,voltageregulatorcontrol	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
2SD1918	文件：138.4 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (160V , 1.5A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SD1918	文件：48.13 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTOR EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SD1918	文件：40.2 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial ■Features ●Highbreakdownvoltage. ●Lowcollectoroutputcapacitance. ●Hightransitionfrequency ●Complementaryto2SB1275	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SD1918TLQ	文件：110.7 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (160V , 1.5A) Features 1)Highbreakdownvoltage.(BVCEO=160V) 2)Lowcollectoroutputcapacitance.(Typ.20pFatVCB=10V) 3)Hightransitionfrequency.(fT=80MHZ) 4)Complementsthe2SB1275.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SD1919	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 2A) FTR?FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SD1910	文件：115.13 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1911	文件：114.93 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1912	文件：701.94 Kbytes Page：8 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMP APPLICATIONS	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
2SD1913	文件：251.03 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

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晶體管資料

型號：
2SD1910
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+Di
性質(zhì)：
電視（TV）_行輸出（HA）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
1500V
最大電流允許值：
3A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BU706DF,2SC3479,2SD1544,2SD1553,2SD1650,2SD1653,2SD1846,2SD1876,2SD2089,
最大耗散功率：
40W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-54
vtest：
1500
htest：
999900
atest：
3
wtest：
40

詳細(xì)參數(shù)

型號：
2SD191
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY HITACHI TRANSISTORTO-3P.FM 1500V 3A 40W BCE

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SD1910		24+	TO-3PFM	10000	全新	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	2SD1910	MAT	23+	原廠原裝	6000	全新原裝	詢價
深圳市弘為電子有限公司	2SD1910	HIT	16+	原廠封裝	2000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	2SD1910	ISC	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
上海市鑫鴻達(dá)電子	2SD1910	SANYO/三洋	2022+		14	全新原裝貨期兩周	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	2SD1910	HITACHI/日立	21+		65230		詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	2SD1910		HITACHI	TO3PF	608900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SD1910		23+		5460	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價
深圳市億鴻豐電子科技有限公司	2SD1910	HIT		TO-3P	6000	原裝現(xiàn)貨,長期供應(yīng),終端可賬期	詢價
深圳市科芯源微電子有限公司	2SD1910	HITACHI/日立	24+	TO3P	58000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!	詢價

更多2SD191供應(yīng)商更新時間2024-11-6 16:00:00

晶體管資料

詳細(xì)參數(shù)

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