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2SD198	文件：150.98 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SD198	文件：108.79 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1980	文件：81.2 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (100V , 2A) Features 1)DarlingtonconnectionforhighDCcurrentgain. 2)Built-inresistorbetweenbaseandemitter. 3)Built-indamperdiode. 4)Complementsthe2SB1580/2SB1316.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1980	文件：70.24 Kbytes Page：1 Pages	Transistors PowerTransistor(+/-100V/+/-2A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1980	文件：87.76 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (100V, 2A) Features 1)DarlingtonconnectionforhighDCcurrentgain. 2)Built-inresistorbetweenbaseandemitter. 3)Built-indamperdiode. 4)Complementsthe2SB1580/2SB1316.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1980TL	文件：87.76 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (100V, 2A) Features 1)DarlingtonconnectionforhighDCcurrentgain. 2)Built-inresistorbetweenbaseandemitter. 3)Built-indamperdiode. 4)Complementsthe2SB1580/2SB1316.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1981	文件：70.45 Kbytes Page：3 Pages	Driver Applications??????? DriverApplications Features ?Darlingtonconnection(on-chipbiasresistance,damperdiode). ?HighDCcurrentgain. ?LowdependenceofDCcurrentgainontemperature. Applications ?Motordrivers,printerhammerdrivers,relaydrivers,voltageregulatorcontrol.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
2SD1985	文件：47.34 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) Forpoweramplification Complementaryto2SB1393and2SB1393A ■Features ●HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) ●Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
2SD1985	文件：136.06 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fapackage ·HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Complementtotype2SB1393/1393A APPLICATIONS ·Forpoweramplification	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1985	文件：103.72 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fapackage ·HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Complementtotype2SB1393/1393A APPLICATIONS ·Forpoweramplification	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SD1985A	文件：47.34 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) Forpoweramplification Complementaryto2SB1393and2SB1393A ■Features ●HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) ●Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
2SD1985A	文件：103.72 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fapackage ·HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Complementtotype2SB1393/1393A APPLICATIONS ·Forpoweramplification	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SD1985A	文件：136.06 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fapackage ·HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Complementtotype2SB1393/1393A APPLICATIONS ·Forpoweramplification	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1986	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1980	文件：134.14 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1980	文件：229.1 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SD1980	文件：164.68 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (100V, 2A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1980_09	文件：164.68 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (100V, 2A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1980_12	文件：134.14 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD1982	文件：260.97 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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晶體管資料

型號：
2SD198
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
300V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
2
可代換的型號：
BU109,BU110,BU126,BUY77,2SC2809,2SD632,3DK205F,
最大耗散功率：
25W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
E-44
vtest：
300
htest：
999900
atest：
1
wtest：
25

詳細參數(shù)

型號：
2SD198
功能描述：
達林頓晶體管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶體管極性：
NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
50 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
集電極—基極電壓
最大直流電集電極電流：
0.5 A
最大工作溫度：
+ 150 C
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
SOIC-18
封裝：
Reel

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市旺財半導體有限公司	2SD198		23+	TO	20000	正品原裝貨價格低qq:2987726803	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	2SD1980	ROHM	23+	TO-252	35890		詢價
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	2SD1980	ROHM			350	原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)	詢價
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更多2SD198供應商更新時間2024-12-25 16:00:00

晶體管資料

詳細參數(shù)

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