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2SD1912

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) ·WideAreaofSafeOperation ·LowCollectorSaturationVoltage APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1912

LOWFREQUENCYPOWERAMPAPPLICATIONS

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

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更多2SD1912R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-29 10:20:00

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