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2SD2106

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=120V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=3A ·HighDCCurrentGain :hFE=1000(Min)@IC=3A,VCE=3V APPLICATIONS ·Design

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2106

SiliconNPNEpitaxial

SiliconNPNEpitaxial Application Lowfrequencypoweramplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SD2106

SiliconNPNEpitaxial

SiliconNPNEpitaxial Application Lowfrequencypoweramplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多2SD2106-E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-15 11:09:00

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