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2SD2111

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=1.5A ·HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=1.5A,VCE=3V APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SD2111

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    120V

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BDT61CF,2SD1828,2SD2014,2SD2015,

  • 最大耗散功率：

    25W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號：

    B-45

  • vtest：

    120

  • htest：

    999900

  • atest：

    3

  • wtest：

    25

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SD2111

  • 制造商：

    ISC

  • 制造商全稱：

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述：

    isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
HITACHI/日立
17+
TO-220F
31518
原裝正品 可含稅交易
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24+
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TO
20000
正品原裝貨價格低
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更多2SD2111供應商 更新時間2025-2-26 14:00:00

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