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2SD2136分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SD2136
廠商型號(hào)

2SD2136

參數(shù)屬性

2SD2136 封裝/外殼為3-SIP;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 3A MT-3

功能描述

NPN Plastic Encapsulated Transistor

文件大小

258.62 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SECOS喜可士

中文名稱

喜可士股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-6 18:26:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2SD2136

  • 別名:

    2SD2136三極管、2SD2136晶體管、2SD2136晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_輸出極 (E)_開關(guān)管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD177,BD179,BD189,2SD794,2SD794A,

  • 最大耗散功率:

    1.5W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    A-70

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    1.5

2SD2136規(guī)格書詳情

FEATURES

● Low frequency power amplifier

● Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)

● High Forward Current Transfer Ratio hFE Which has Satisfactory Linearity

Collector to Base Voltage VCBO 60V

Collector to Emitter Voltage VCEO 60V

Emitter to Base Voltage VEBO 6V

Collector Current - Continuous IC 3A

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SD21360RA

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.2V @ 375mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    300μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    220MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    3-SIP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    MT-3-A1

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 3A MT-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CJ(江蘇長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶)
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