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2SD2537T100V

MediumPowerTransistor(25V,1.2A)

Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Highemitter-basevoltage.(VEBO=12V) 3)Lowsaturationvoltage.(Max.VCE(sat)=0.3VatIC/IB=500mA/10mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

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更多2SD2537T100VIC供應商 更新時間2025-2-9 11:00:00