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2SD669TA	文件：905.14 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SD669	文件：36.07 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNPNEpitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SB649/A(PNP)	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD669	文件：242.48 Kbytes Page：3 Pages	NPNTypePlasticEncapsulateTransistors FEATURES PowerdissipationPCM:1mW（Tamb=25℃） CollectorcurrentICM:1.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:180V Collector-emittervoltageVCEO2SD669:120V2SD669A:160V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD669	文件：1.01979 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126PlasticPackage. Features Complementarypairwith2SB649(A). Applications Lowfrequencypoweramplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SD669	文件：280.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Capableof1WattsofPowerDissipation. ?Collector-current1.5A ?Collector-baseVoltage180V ?	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2SD669	文件：90.68 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:1.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:180V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SD669	文件：77.11 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR NPNSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS *LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithUTC2SB649/A	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD669	文件：245.17 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistors NPNEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SD669	文件：126.08 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD669	文件：276.3 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SB649/649A(PNP) ·HighbreakdownvoltageVCEO:120/160V ·Highcurrent1.5A ·Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity APPLICATIONS ·Forlow-frequencypower amplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD669	文件：1.22636 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowFrequencyPowerAmplifierComplementaryPairwith2SB649/2SB649A	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
2SD669	文件：172.73 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:1.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:180V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SD669	文件：138.23 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD669	文件：211.26 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypair with2SB649/A	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SD669	文件：1.56799 Mbytes Page：5 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowFrequencyPowerAmplifierComplementary Pairwith2SB649	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SD669	文件：297.75 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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2SD669A	文件：63.21 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR Themainpurpose Forlow-frequencypoweramplification.	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司	Huashan
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