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2SD864

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=1.5A ·Collector-EmitterBreakdownVoltage:V(BR)CEO=120V(Min) ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=1.5A ·ComplementtoType2SB765 APPLICATIONS ·Mediumspeedandpowerswitchingappl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SD864(K)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    120V

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BDW53D,BDW63D,BDT61C,2SD1147,

  • 最大耗散功率：

    30W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    120

  • htest：

    999900

  • atest：

    3

  • wtest：

    30

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SD864(K)供應(yīng)商 更新時間2025-3-2 16:00:00

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