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2SD864

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=1.5A ·Collector-EmitterBreakdownVoltage:V(BR)CEO=120V(Min) ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=1.5A ·ComplementtoType2SB765 APPLICATIONS ·Mediumspeedandpowerswitchingappl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2SD864(K)

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_開關管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數:

    3

  • 可代換的型號:

    BDW53D,BDW63D,BDT61C,2SD1147,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍數:

    β>1000

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    30

詳細參數

  • 型號:

    2SD864

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon NPN Darlington Power Transistor

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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