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2SJ600

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION The2SJ600isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES ?Lowon-stateresistance: RDS(on)1=50m?MAX.(VGS=–10V,ID=–13A) RDS(on)2=79m?MAX.(VGS=–4.0V,ID=–13A) ?LowCiss:Ciss=1900pFTYP. ?Built-

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SJ600

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ600isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES ?Lowon-stateresistance: RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–13A) RDS(on)2=79mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–13A) ?Lowin

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ600

MOS Field Effect Transistor

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SJ600

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

2SJ600-Z

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ600isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES ?Lowon-stateresistance: RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–13A) RDS(on)2=79mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–13A) ?Lowin

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ600-Z

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION The2SJ600isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES ?Lowon-stateresistance: RDS(on)1=50m?MAX.(VGS=–10V,ID=–13A) RDS(on)2=79m?MAX.(VGS=–4.0V,ID=–13A) ?LowCiss:Ciss=1900pFTYP. ?Built-

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SJ600_15

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ600-Z

P-Channel MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SJ600-Z_15

P-Channel MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SJ600-Z-E1-AZ

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

2SJ600-Z-E1-AZ

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：TRANSISTOR

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SJ600

  • 制造商：

    KEXIN

  • 制造商全稱：

    Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

  • 功能描述：

    MOS Field Effect Transistor

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
12+
TO-251
15000
全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。
 詢價
NEC
24+
TO-251
2000
詢價
NEC
2339+
4231
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強(qiáng)勢庫存!
 詢價
KEXIN
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價
NEC
2020+
TO-252
16800
絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
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JINGDAO/晶導(dǎo)微
23+
SOD-323
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢價
NEC
24+
6540
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢
 詢價
NEC
21+
TO-251
30000
只做正品原裝現(xiàn)貨
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NEC
2021+
TO-251
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
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NEC
23+
TO-251
10000
公司只做原裝正品
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更多2SJ600供應(yīng)商 更新時間2024-11-6 11:03:00

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