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2SJ601(0)-Z-E1-AZ

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

2SJ601

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES RDS(ON)14mQ@VGs=-10V(Typ) RDs(ON)16mQ@VGs=-4.5V(Typ) SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent capability

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

2SJ601

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ601isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES Lowon-stateresistance: RDS(on)1=31mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–18A) RDS(on)2=46mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–18A) Lowinput

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ601

P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

2SJ601

MOSFieldEffectTransistor

MOSFieldEffectTransistor Features Lowon-resistance RDS(on)1=31mMAX.(VGS=-10V,ID=-18A) RDS(on)2=46mMAX.(VGS=-4.0V,ID=-18A) LowCiss:Ciss=3300pFTYP. Built-ingateprotectiondiode

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SJ601

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SJ601isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES ?Lowon-stateresistance: RDS(on)1=31m?MAX.(VGS=–10V,ID=–18A) RDS(on)2=46m?MAX.(VGS=–4.0V,ID=–18A) ?Lowinputcapacitance:

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SJ601-Z

IscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=31mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Solenoid,motorandlampdriver

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SJ601-Z

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ601isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES Lowon-stateresistance: RDS(on)1=31mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–18A) RDS(on)2=46mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–18A) Lowinput

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ601-Z

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SJ601isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES ?Lowon-stateresistance: RDS(on)1=31m?MAX.(VGS=–10V,ID=–18A) RDS(on)2=46m?MAX.(VGS=–4.0V,ID=–18A) ?Lowinputcapacitance:

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SJ601(0)-Z-E1-AZ

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    36A（Tc）

  • 描述：

    TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Renesas Electronics America
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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RENESAS/瑞薩
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更多2SJ601(0)-Z-E1供應(yīng)商 更新時間2025-1-29 15:00:00

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