2SK1365中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
2SK1365 |
| 功能描述 | FET, Silicon N Channel MOS Type(for High Speed, High Current Switching, Switching Power Supply) |
| 文件大小 |
443.37 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
| 中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-7 15:20:00 |
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2SK1365規(guī)格書詳情
Switching Power Supply Applications
● Low drain?source ON resistance : RDS (ON) = 1.5 ? (typ.)
● High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.0 S (typ.)
● Low leakage current : IDSS = 300 μA (max) (VDS = 800 V)
● Enhancement mode : Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
產(chǎn)品屬性
- 型號：
2SK1365
- 功能描述：
MOSFET N-CH 1KV 7A TO-3PN
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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