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2SK1365

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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2SK1365

FET, Silicon N Channel MOS Type(for High Speed, High Current Switching, Switching Power Supply)

SwitchingPowerSupplyApplications ●Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=1.5?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.0S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=300μA(max)(VDS=800V) ●Enhancementmode:Vth=1.5to3.5V(VDS=10V,ID=1mA)

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2SK1365

Silicon N Channel MOS Type Switching Power Supply Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SK1365

Marking：k1365；Switching Power Supply Applications

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2SK1365

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SK1365_06

Silicon N Channel MOS Type Switching Power Supply Applications

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2SK1365_09

Switching Power Supply Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SK1365

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 1KV 7A TO-3PN

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SK1365供應商 更新時間2025-1-30 17:06:00

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