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2SK1365

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK1365

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SK1365

SwitchingPowerSupplyApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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2SK1365

SiliconNChannelMOSTypeSwitchingPowerSupplyApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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2SK1365

FET,SiliconNChannelMOSType(forHighSpeed,HighCurrentSwitching,SwitchingPowerSupply)

SwitchingPowerSupplyApplications ●Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=1.5?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.0S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=300μA(max)(VDS=800V) ●Enhancementmode:Vth=1.5to3.5V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SK1365(F)

  • 功能描述：

    MOSFET N-ch 1000V 7A 1.5 ohm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SK1365(F)供應(yīng)商 更新時間2024-12-26 13:58:00

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