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2SK3433-Z

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) ?L

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3433-Z

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26m?MAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41m?MAX.(VGS=4.0V,ID=20A) ?LowCiss:Ciss=1500pFTYP. ?Built-in

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SK3433-Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SK3433-ZJ

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) ?L

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3433

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) ?L

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3433

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SK3433

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

2SK3433

MOSFieldEffectTransistor

Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=41mMAX.(VGS=4V,ID=42A) ●LowCiss:Ciss=1500pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SK3433

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26m?MAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41m?MAX.(VGS=4.0V,ID=20A) ?LowCiss:Ciss=1500pFTYP. ?Built-in

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SK3433-S

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) ?L

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SK3433-Z

  • 制造商：

    NEC

  • 制造商全稱：

    NEC

  • 功能描述：

    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VB
2024
TO-220
13500
16余年資質 絕對原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
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NEC
23+
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35890
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NEC
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6540
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢
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R
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
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RENESAS/瑞薩
2022+
TO-263
32500
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RENESAS/瑞薩
2022+
TO-263
30000
進口原裝現(xiàn)貨供應,原裝 假一罰十
 詢價
更多2SK3433-Z供應商 更新時間2025-2-7 16:40:00

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