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2SK3565_V01

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type, π-MOSIV

SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=2.0Ω(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.5S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(VDS=720V) ?Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多2SK3565_V01供應商 更新時間2025-1-4 11:00:00

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