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2SK3565_V01中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2SK3565_V01
廠商型號(hào)

2SK3565_V01

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type, π-MOSIV

文件大小

218.78 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

TOSHIBA東芝

中文名稱(chēng)

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-30 22:01:00

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2SK3565_V01規(guī)格書(shū)詳情

Switching Regulator Applications

? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 2.0 Ω (typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.5 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 720 V)

? Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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