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2SK3569

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SK3569

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=25V(Min) ?ComplementtoType2SB1119 ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?DesignedforLFAmpElectronicGovernorapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3569

SwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SK3569

SiliconNChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SK3569

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(PIE-MOSVI)

SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.54?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=8.5S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) ?Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    2SK3569(Q,M)

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 10A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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TO-220F
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原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!
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TO-2220F
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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TO220
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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA/東芝
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更多2SK3569(Q,M)供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-2 15:16:00