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2SK3569

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SK3569

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=25V(Min) ?ComplementtoType2SB1119 ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?DesignedforLFAmpElectronicGovernorapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3569

SwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SK3569

SiliconNChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SK3569

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(PIE-MOSVI)

SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.54?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=8.5S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) ?Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SK3569(Q

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 600V 10A Rdson 0.75 Ohm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多2SK3569(Q供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-7 13:30:00

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