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2SK3674-01SJ

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SK3674-01SJ

Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

2SK3674-01SJ

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

2SK3674-01

PowerMOSFETSuperFAP-GseriesTargetSpecification

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

2SK3674-01L

PowerMOSFETSuperFAP-GseriesTargetSpecification

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

2SK3674-01L

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

2SK3674-01L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SK3674-01S

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SK3674-01S

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

2SK3674-01S

PowerMOSFETSuperFAP-GseriesTargetSpecification

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

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更多2SK3674-01SJ供應商 更新時間2025-1-22 17:06:00

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