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2SK3779-01R

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=59A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=53mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3779-01R

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多2SK3779-01R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-13 14:00:00