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STW35N60DM2

Marking:35N60DM2;Package:TO-247;Extremely high dv/dt ruggedness

Description ThishighvoltageN-channelPowerMOSFETis partoftheMDmesh?DM2fastrecoverydiode series.Itoffersverylowrecoverycharge(Qrr) andtime(trr)combinedwithlowRDS(on),rendering itsuitableforthemostdemandinghighefficiency convertersandidealforbridgetopologi

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更多35N60DM2供應(yīng)商 更新時間2025-3-21 10:34:00