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3DD11D

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD11E

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15~180@IC=15A ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=250V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierand switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    3DD11C-T

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    150V

  • 最大電流允許值：

    30A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

    300W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    E-63

  • vtest：

    150

  • htest：

    999900

  • atest：

    30

  • wtest：

    300

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
CHINA
22+
F-2F-4
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航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方!
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Die
150000
類別:雙極型晶體管
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華晶
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十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
更多3DD11C-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 14:32:00

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