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3DD11E中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

3DD11E
廠商型號

3DD11E

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

文件大小

252.86 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 18:20:00

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晶體管資料

  • 型號:

    3DD11E

  • 別名:

    3DD11E三極管、3DD11E晶體管、3DD11E晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    150V

  • 最大電流允許值:

    30A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    300W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-63

  • vtest:

    150

  • htest:

    999900

  • atest:

    30

  • wtest:

    300

3DD11E規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·DC Current Gain

: hFE=15~180@IC = 15A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage

: VCEO(SUS)=250V(Min)

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose power amplifier and

switching applications.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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